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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導體設備基本參數進行測試方法儀還具有高可靠性強,精密度、寬量測空間、 更快協調性、兼容性問題強等優越性,產品設備就能夠同一適配DC瞬時電流-交流電壓值(I-V)、電阻-交流電壓值(C-V)還有高流進行高壓下脈沖信號式I-V優點的測試方法。        應用于控制器化的型式來設計,能能益處業主依照軟件測試須要,具備靈活性高加裝預估模快采取更新。品牌大力支持最高的1200V電阻、100A大交流電、1pA小交流電辨別好壞率的預估,還測量10kHz至1MHz位置內的多頻AC電解電容預估。        配備用半導體元器件封裝技術指標試驗工具工具,鼓勵溝通互動式帶有大量手動實操或切合電極臺的自功實操,要從測定設置、下達、然而進行分析到數據報告管理制度的整體的的過程,確保高效、性價比最高和可連續的元器件封裝研究方法;也可與高環境溫度箱、溫度控制器板塊等配應用,符合高環境溫度試驗工具各種需求。

產品特點

●    ;30μV-1200V,1pA-100A 寬量(liang)程測(ce)試能力

●     測(ce)量(liang)精(jing)度高,全量(liang)程下可達0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實時參(can)數(shu)提取、 數(shu)據繪(hui)圖(tu)、分析函(han)數(shu)

●     在(zai)CV和IV測(ce)量(liang)之間快速切換而無需重新布(bu)線

●     提供靈活的夾具定制(zhi)方案(an),兼容性強(qiang)

●     免費提供上位機軟件(jian)及SCPI指令(ling)集(ji)


運用場景中(zhong)及測試英文性能參數

1、納米材料:電阻率(lv)、載流(liu)(liu)子(zi)遷移率(lv)、載流(liu)(liu)子(zi)濃度、霍(huo)爾電壓

2、柔性材料:拉伸/扭(niu)轉/彎折(zhe)、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲線(xian)等

5、光電探測器:暗電流ID、結電容Ct、反向擊穿電壓(ya)VBR、響應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測試


自己的特色優劣勢

1、模塊化配置:可靈活(huo)配置多種測量(liang)單元(yuan),預留升級空間,方便(bian)后期(qi)升級

2、圖形化界面:內置(zhi)常(chang)用(yong)器件模板(ban),可(ke)直接調用(yong),并且支持輸出三種模式測試報告

3、自動化測試:內嵌低(di)漏電矩陣開關(guan),可(ke)自動切換測試電路,實現(xian)一鍵測試功(gong)能

4、夾具可定制:支(zhi)持(chi)二極(ji)(ji)管(guan)、三(san)極(ji)(ji)管(guan)、Si及SiC MOS管(guan)、IGBT等器(qi)件

5、多設備聯動:可與(yu)探(tan)針(zhen)臺(tai)、溫(wen)控模塊等(deng)搭配使用,溫(wen)控范(fan)圍:室(shi)溫(wen)~250℃

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縮(suo)短半(ban)導文件、集成塊元器件設置與現代化加(jia)工工藝(yi)的(de)設計校驗(yan)

1、支持系統電流、脈沖信號I-V檢驗

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2、內設專業課程分塊矩陣控制開關,提升檢查質量

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3、可與幾種機器設備協作便用:晶圓級電子器件功能測評必須 與檢測器臺協作,可以信賴性監測會相關底溫或是高底溫等的條件

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4、三同水平線纜發展小感應電流測試表面粗糙度

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設計化軟文程序界面

協助普賽斯專業技術化設計規劃的專業技術考試圖片軟件,SPA6100可更快建立半導體裝修材料裝修材料,功率功率器件的指標考試。體系原機實用功率功率器件摸版,如電感, 二極管,MOSFET。考試整個過程中,可隨時調節,只需簡短設制考試指標需先。圖片軟件支持系統考試數據文件信息彰顯,包括線條編寫。考試完后 后,可將數據文件信息包括線條導入到保存圖片。

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便捷(jie)可來樣加工化(hua)的沖壓(ya)模具計(ji)劃方(fang)案

針對于市售上不同的場定律管封裝類型、的半導體單片機芯片元器件封裝護膚品,普賽斯保證整體工裝組合夾具徹底解決計劃書。工裝組合夾具有低阻抗匹配、裝設簡單、類種極為豐富等優點,可 代替場定律管、多晶體管、場定律多晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類護膚品的測量;也可與電極臺連入,實行晶圓級單片機芯片 測量。


多(duo)種封裝形式型的(de)夾具設計

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產品選型

高(gao)壓(ya)低壓(ya)電流I-V源校正機(ji)組

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

舒(shu)張壓脈沖(chong)造成的I-V源估(gu)測標段

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(電流) / 30A(單脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

直流高壓I-V源量測單元測試(shi)卷(juan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高(gao)流I-V源測量單(dan)位(wei)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電阻在線測量單位

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



*上規格型號予以更新軟件,恕不據實溫馨提示。

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