国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频

●   高電壓達3500V(最大(da)擴展至12kV)

●   大電流(liu)達6000A(多模塊(kuai)并聯)

●   nA級漏電(dian)流μΩ級導(dao)通電(dian)阻

●   高(gao)精度測量0.1%

●   模塊化配置(zhi)，可添加或升級(ji)測量單元，可提供數據IV、CV、跨導(dao)等充足功用(yong)的總(zong)體測試(shi)英文

●   測試效率高，自動切換、一(yi)鍵測試

●  ; 溫度范圍廣(guang)，支(zhi)持(chi)常溫、高溫測試

●   兼容多種封裝，根據(ju)測試需求(qiu)定制夾(jia)具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極(ji)內阻Rg、輸入電(dian)(dian)容(rong)Ciss/Cies、輸出電(dian)(dian)容(rong)Coss/Coes、反向傳輸電(dian)(dian)容(rong)Crss/Cres、跨導gfs、輸出特(te)性曲線、轉移特(te)性曲線、C-V特(te)性曲線

●   光耦(ou)(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸(shu)入電容CT、輸(shu)出電容CCE、電流傳輸(shu)比CTR、隔(ge)離電容CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器件(jian)由于其功率特點(dian)極易產(chan)生(sheng)大量(liang)熱量(liang)，施加應力時(shi)間(jian)長，溫度迅速(su)上(shang)升，嚴重時(shi)會使器件(jian)損壞，且不符(fu)合器件(jian)工作特性。普賽斯直(zhi)流電控制模塊構建的日子(zi)高(gao)于5ms，在測試(shi)圖(tu)片的過程中可限制待測物(wu)加電日子(zi)的發熱怎(zen)么辦。

2、壓力下(xia)漏(lou)電流的(de)公(gong)測軟件(jian)力量無可取代(dai)，公(gong)測軟件(jian)覆蓋面(mian)率遠(yuan)(yuan)遠(yuan)(yuan)超(chao)過國際(ji)企業(ye)品牌(pai)。市(shi)面(mian)上絕(jue)大多數器件(jian)的(de)規(gui)格(ge)書顯示，小模塊在高溫測試(shi)(shi)時漏(lou)電流一般大于5mA，而車規(gui)級三相半(ban)橋高溫下(xia)漏(lou)電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)格(ge)書為例(li)：3300V，125℃測試(shi)(shi)條件(jian)下(xia)ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統(tong)高壓模塊測試(shi)(shi)幾乎(hu)可以完美應對所(suo)有類型器件(jian)的(de)漏(lou)電流測試(shi)(shi)需求。

PMST馬力電子元器件靜態變量系統不同于規模調試規格型號參考使用：