盛夏已過，初秋開場

七月的高溫天氣隔絕一直不散家庭生活也免不下來被復雜的工作上鎮魂

高壓變壓器大工作電壓(6500V/3000A)IGBT測試儀難？伴隨工程所需急、日常任務重、規范高工程建筑師們壓強山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

會因為SiC與Si基本特征的多種，SiC MOSFET的閥值法法電流電阻兼具時好時壞確定，在元器測試時中閥值法法電流電阻會現顯然漂移，會造成其電特點測試或是高熱柵偏耐壓試驗后的電測試然而造成依賴感于測試條件。以至于閥值法法電流電阻的最準測試，現有安全性測試步驟有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻器 RDSon為應響電子器件任務時導通不足的一注重結構特征基本參數，其參數值會隨 VGS 并且 T的變化而轉換。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護性還可以將電阻還是直流電壓要求在SOA區域內，防止元器壞掉或炸管。

測試英文必要條件：800V 恒壓 10μA 限流

公測環境：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流論文檢測電路板將升高導通電壓值衡量高精準度；? SOCKET與PIN排斥功率電阻器、檢驗引線導通功率電阻器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流量波形參數振蕩器；? 輸電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普通級同軸拖鏈電纜的等效電容器與DUT電容串聯，SMU測試方法時提升甚至相對穩定耗時長；? 三同軸通信電纜等效電容（電容器）基本上為0。

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